| 摘要 |
<p>본 발명은 필드 산화막에 의해 분리된 실리콘 기판 상부의 액티브 영역 표면을 시트-오프하여 자연산화막을 제거한 후 ALD 증착 장비에서 AlO박막을 증착하는 제 1 단계와, 상기 AlO박막을 반응로에서 NO 분위기로 어닐 공정을 수행하여 상기 AlO박막 내의 결함 제거 및 상기 실리콘 기판과 상기 AlO박막사이에 옥시나이트라이드막을 형성하는 제 2 단계와, 상기 AlO박막 상부에 폴리 실리콘막을 증착한 후, 그 위에 WSix, TiSi또는 텅스텐 막을 증착하여 워드라인을 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법을 제공한다.</p> |
