| 发明名称 |
High-purity copper sputtering targets and thin films |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0882813(B1) |
申请公布日期 |
2001.10.31 |
| 申请号 |
EP19980109210 |
申请日期 |
1998.05.20 |
| 申请人 |
JAPAN ENERGY CORPORATION |
发明人 |
TAKAHASHI, KAZUSHIGE;KANO, OSAMU |
| 分类号 |
C23C14/14;C23C14/18;C23C14/34;H01L21/285;(IPC1-7):C23C14/34 |
主分类号 |
C23C14/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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