Verfahren zur Herstellung von selbsttragenden Halbleiterschichten aus Al¶x¶Ga¶y¶In¶1¶¶-¶¶x¶¶-¶¶y¶N und Verwendung der Halbleiterschichten,申请号DE1995123158-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von selbsttragenden Halbleiterschichten aus Al¶x¶Ga¶y¶In¶1¶¶-¶¶x¶¶-¶¶y¶N und Verwendung der Halbleiterschichten
摘要
申请公布号	DE19523158(C2)	申请公布日期	2001.10.31
申请号	DE1995123158	申请日期	1995.06.26
申请人	TOYODA GOSEI CO., LTD.;AKASAKI, ISAMU;AMANO, HIROSHI	发明人	MANABE, KATSUHIDE;KOIKE, MASAYOSHI;KATO, HISAKI;KOIDE, NORIKATSU;AKASAKI, ISAMU;AMANO, HIROSHI
分类号	C30B25/02;H01L33/32;(IPC1-7):H01L21/20;H01L33/00	主分类号	C30B25/02
代理机构		代理人
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