| 发明名称 | 金属层用的化学机械抛光淤浆 | ||
| 摘要 | 一种用于金属层化学机械抛光的淤浆，含有均匀分散在稳定的含水介质中的纯度高、细的金属氧化物粒子。 | ||
| 申请公布号 | CN1074035C | 申请公布日期 | 2001.10.31 |
| 申请号 | CN95196473.9 | 申请日期 | 1995.09.01 |
| 申请人 | 卡伯特微电子公司 | 发明人 | 马修·内维尔;戴维·J·弗拉克;迈克尔·A·卢卡瑞里;黛布拉·L·谢尔伯;洪正宏 |
| 分类号 | C09G1/00;B24B1/00 | 主分类号 | C09G1/00 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 巫肖南 |
| 主权项 | 1、一种化学机械抛光基片金属层的方法，该方法包括下列步骤：a)提供一种化学机械抛光淤浆，该淤浆含有均匀分散在含水介质中的高纯氧化铝粒子，该粒子的表面积为约40～430m2/g，聚集粒径分布约小于1.0微米，平均聚集直径小于约0.4微米，并且具有一个足以排斥和克服粒子间范德华力的力，其中所述的淤浆是稳定的；以及(b)用所述的淤浆对半导体基片上的金属层进行化学机械抛光。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||