纳米光－热伏电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米光－热伏电池,包括半导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层、电极、离子注入层。离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间,形成两个PN结。高渗杂扩散层覆盖离子注入层,使其厚度在1nm－100nm之间。同时本发明还给出了该电池的制备方法,包括氧化、光刻、扩散、离子注入、低压真空化学淀积、蒸铝等步骤。本发明真正实现了将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能,因此转换效率大大提高,性价比产生了飞跃,可以工业化生产。

主权项

1．一种纳米光-热伏电池，包括半导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层，以及分别从衬底和高渗杂扩散层引出的电极，其特征在于：还含有离子注入层，所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间，形成两个PN结，所述离子注入层为高渗杂扩散层覆盖，厚度在1nm-100nm之间。