| 摘要 |
<p>포스티드 카스 레이턴시 기능을 가지는 동기식 반도체 메모리 장치 및 카스 레이턴시 제어 방법이 제공된다. 본 명세서에서는 카스 명령 및 칼럼 어드레스의 인가로부터 메모리 독출 및 기입 동작이 시작되기 까지의 지연시간을 클락 단위로 제어하는데 잇어서, 첫째 그 지연 시간을 MRS로 프로그래밍하는 방안과 그 지연시간을 내부 신호와 외부 신호를 검출해내는 방안을 제시하고 있다. 둘째 방법에 있어서의 발명의 동기식 반도체 메모리 장치는 카스 레이턴시를 제어하는 카운터부를 구비할 수 있다. 카운터부는 동일한 뱅크에 로우 억세스 명령이 발생한 후, 칼럼 억세스 명령이 인가되기까지의 클락 신호의 클락수에 따라 카스 레이턴시를 제어하는 신호를 발생하여 독출하는 동기식 반도체 메모리 장치의 카스 레이턴시를 제어한다. 본 발명의 동기식 반도체 메모리 장치 및 카스 레이턴시 제어 방법에 의하여, 동기식 반도체 메모리 장치에서 별도의 MRS 명령없이 포스티드 카스 레이턴시와 통상적인 카스 레이턴시 동작이 적절히 수행될 수 있다.</p> |
