| 摘要 |
<p>본 발명은 TFT를 포함하는 액정 표시 장치의 제조에 있어서, 배리어형 양극 산화막에 생기는 핀홀의 발생을 억제하고, 또한 다공질 양극 산화막을 에칭 제거할 때에 게이트 전극 패턴에 대하여 선택성을 나타내는 습식 에칭 처리에 관한 것이다. 본 발명의 해결 수단으로는 상기 다공질 양극 산화막의 에칭을, 양극 산화를 위하여 서로 전기적으로 접속된 상태로 형성된 게이트 전극 패턴을 개개의 패턴으로 분단하는 공정 후에 실행하고, 또는 다공질 양극 산화막을 에칭 처리 할 때에 인산에 산화Cr을 0.03 중량% 이상의 농도로 함유하는 에칭제를 사용하는 것이다.</p> |
