| 摘要 |
A találmány tárgya félvezető lapkát plazmamarással megmunkálórendszer, plazmás gyártókamra félvezető lapka megmunkálására, valaminteljárás felső elektróda gyártókamrában történő gyártására. A találmányszerinti rendszer félvezető lapkát tartó tokmánnyal ellátottgyártókamrát és két rádiófrekvenciás tápegységet tartalmaz, továbbá afélvezető lapka felett központi területtel, első felülettel és másodikfelülettel rendelkező elektródát tartalmaz. Az első felület egy, arendszeren kívül elhelyezkedő forrásból gyártógázokat fogadóan és agyártógázokat a központi területre áramoltatóan van kialakítva. Amásodik felület olyan gázvezető furatokat tartalmaz, amelyekfolytonosan csatlakoznak megfelelő elektródanyílásokhoz, amelyekátmérője nagyobb, mint a gázvezető nyílások átmérője. Azelektródanyílások a félvezető lapka felett kialakítottelektródafelületet meghatározóan vannak kiképezve. A találmány részétképezi még olyan rendszer, amely a félvezető lapkát tartó tokmánnyalellátott gyártókamrát és ahhoz kapcsolódó rádiófrekvenciástápegységet, továbbá a félvezető lapka felett elrendezett, leföldeltelektródát tartalmaz, amelynek központi területe, első felülete ésmásodik felülete van. Az elektróda első felülete egy, a rendszerenkívül elhelyezkedő forrástól gyártógázokat fogadóan és a gyártógázokata központi területre áramoltatóan van kialakítva. Az elektróda másodikfelülete olyan gázvezetőfuratokat tartalmaz, amelyek folytonosancsatlakoznak megfelelő elektródanyílásokhoz, amely elektródanyílásokátmérője nagyobb, mint a gázvezetőnyílások átmérője, és amelyelektródanyílások a félvezető lapka felülete felett elrendezettelektródafelületet meghatározóan vannak kialakítva. A plazmásgyártókamra félvezető lapkát tartó tokmányt és két rádiófrekvenciástápegységet, továbbá olyan elektródás eszközt tartalmaz, amely azelektródás eszköz és a félvezető lapka felülete közötti gyártásitérrészbe gáznemű vegyületeket bejuttatóan van kialakítva. Azelektródás eszköz olyan túlméretes gázvezetőfuratokkal van ellátva,amelyek a lapka felülete felett elektródafelületet meghatározóanvannak kiképezve. Amikor az elektródafelület és a plazmásgyártókamrában lévő lapka felülete között plazma van, akkor a lapkafelülete felett lényegében sík, első plazmaköpeny és az elektródafelülete felett elrendezett, meghatározott profilú, másodikplazmaköpeny van kialakítva oly módon, hogy a meghatározott profilú,második plazmaköpeny benyúlik a túlméretes gázvezetőfuratok belsejébe,és ezáltal a megfelelő profilú, második plazmaköpeny felülete nagyobb,mint a lényegében sík, első plazmaköpeny felülete. A találmányszerinti eljárás lényege, hogy központi területtel, első felülettel ésmásodik felülettel rendelkező, felső elektródát (200) állítanak elő;az első felületen olyan bevezető nyílást alakítanak k |
