| 发明名称 |
TRANSISTOR BIPOLAIRE VERTICAL COMPORTANT UNE BASE EXTRINSEQUE DE RUGOSITE REDUITE, ET PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2779573(B1) |
申请公布日期 |
2001.10.26 |
| 申请号 |
FR19980007061 |
申请日期 |
1998.06.05 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA |
发明人 |
MARTY MICHEL;CHANTRE ALAIN;REGOLINI JORGE LUIS |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/331;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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