发明名称 | 可控硅电容器快速补偿装置 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种可控硅电容器快速补偿装置,其特征在于:有一个外壳,外壳中有一个接受一相电流及电压信号的函数运算电路,函数运算电路与控制逻辑产生电路相接,控制逻辑产生电路有多路输出,各路输出分别接一识别逻辑电子门,各识别逻辑电子门分别与一个触发脉冲产生电路相连接,各触发脉冲产生电路再接一组可控硅模块,另有一三相同步电压电路与过零电压产生电路相连接,过零电压产生电路再与前述各识别逻辑电子门相连接。优点:实现了无触点运行,不对电网和电力电容器产生强大的冲击,运行噪声小,寿命长,动作可靠,安装调试方便,改善了电网的运行环境,提高了供用电质量。 | ||
申请公布号 | CN2456353Y | 申请公布日期 | 2001.10.24 |
申请号 | CN00261963.6 | 申请日期 | 2000.12.13 |
申请人 | 彭耀斌 | 发明人 | 彭耀斌 |
分类号 | H02J3/18 | 主分类号 | H02J3/18 |
代理机构 | 南通市科伟专利事务所 | 代理人 | 杨志京 |
主权项 | 1、一种可控硅电容器快速补偿装置,其特征在于:有一个外壳,外壳中有一个接受一相电流及电压信号的函数运算电路,函数运算电路与控制逻辑产生电路相接,控制逻辑产生电路有多路输出,各路输出分别接一识别逻辑电子门,各识别逻辑电子门分别与一个触发脉冲产生电路相连接,各触发脉冲产生电路再接一组可控硅模块,另有一三相同步电压电路与过零电压产生电路相连接,过零电压产生电路再与前述各识别逻辑电子门相连接。 | ||
地址 | 226200江苏省启东市供电局调度所 |