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发明名称 FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH ABRUPT SOURCE/DRAIN JUNCTIONS
摘要
申请公布号 EP1147552(A1) 申请公布日期 2001.10.24
申请号 EP19990972373 申请日期 1999.11.05
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 MURTHY, ANAND S.;CHAU, ROBERT, S.;MORROW, PATRICK;JAN, CHIA-HONG;PACKAN, PAUL
分类号 H01L29/78;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/417;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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