| 发明名称 | 磁阻器件、巨磁阻器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种磁阻传感器(30)和一种用电化学淀积来生产磁阻传感器(30)的方法。用导电涂层(12)涂敷绝缘基底(11),以准备电化学淀积、电镀用的绝缘基底。导电涂层(112)稍后被图形化,以防止金属区短路。用金属层(131)和磁性合金对导电涂层进行电镀。对此层进行腐蚀以形成4个被互连成惠斯登电桥(473)结构的分隔开的区域,以便形成能够探测外加磁场(100)变化的传感器。在某些实施例中,为了提高传感器的灵敏度,各个磁性层被非磁性层(114)分隔开。在其它的实施例中,增加了磁极片元件,以便将磁场聚焦到4个区域中的二个上。 | ||
| 申请公布号 | CN1319225A | 申请公布日期 | 2001.10.24 |
| 申请号 | CN99811240.2 | 申请日期 | 1999.09.24 |
| 申请人 | 材料革新公司 | 发明人 | 格伦·L·比内;戴维·S·拉什莫尔;华雄鹿(音译) |
| 分类号 | G11B5/37;C25D3/56;B32B15/00 | 主分类号 | G11B5/37 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种用来探测磁场变化的磁阻器件，它包含：其上排列有至少一个由导电或部分导电涂层组成的厚度小于大约2000的区域的绝缘基底，所述涂层具有大约10-100欧姆/方的电阻率；以及至少一个电阻器区域，它包含：至少一层排列在各个所述至少一个导电或部分导电涂层区域上的大约0.5-2μm的电淀积的金属材料，所述电淀积的金属材料至少被基本上永久固定在其上；以及至少一层排列在所述至少一层电淀积的金属材料上的大约15-30的电淀积的铁磁材料。 | ||
| 地址 | 美国新罕布什尔州 | ||