| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer aus einer Vielzahl von dünnen Einzellagen mit einer jeweiligen Lagendicke von 1 bis 100 nm bestehenden Verschleißschutzschicht mittels eines CVD-Verfahrens, bei dem auf einem Substratkörper die jeweiligen Einzellagen sukzessive nacheinander abgeschieden werden, sowie einen entsprechend beschichteten Substratkörper. Erfindungsgemäß wird das durch ein Glimmentladungsplasma aktivierte CVD-Verfahren bei einem Druck von 50 Pa bis 1000 Pa und einer Temperatur von maximal 750°C derart durchgeführt, daß während der Änderung der gaszusammensetzung zur Vorbereitung der Abscheidung der nächstfolgenden Einzellage die Spannung zur Erzeugung der Glimmentladung abgeschaltet wird oder bei im wesentlichen gleichbleibend hoher Temperatur ein Gas oder ein Gasgemisch aus Argon, Wasserstoff und/oder Stickstoff in das Beschichtungsgefäß eingeleitet wird und die Glimmentladung durch Anlegen einer Spannung von 200 V bis 1000 V über eine Zeitdauer, die kürzer als die Dauer der Beschichtung der letzten Einzellage ist, aufrechterhalten wird.</p> |
