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<p>Für eine besonders schmalbandige Photodiode stoßen eine photoelektrisch aktive Schicht (3, 20) und ihre Schichtlagen auf ihren beiden Oberflächenseiten an unterschiedliche Schichten,wobei auf der bestrahlten Seite der photoelektrisch aktiven Schicht (3, 20) eine photoelektrische Sperrfilterschicht (4, 22) für kurzwelligere Strahlung aus monolithisch integriertem Halbleitermaterial gebildet ist, deren Energiebandlücke (EGA(x)) einen größeren Wert als die Energiebandlücke (EGB(x)) in den direkt anschließenden Schichtlagen der photoelektrisch aktiven Schicht (3, 20) aufweist und die andere Seite durch einen Heteroübergang zwischen einem Substrat (1) oder einer über dem Substrat (1) liegenden Pufferschicht (2) und der photoelektrisch aktiven Schicht (3, 20) mit einer eine Zugangsbarriere (Δ) für Minoritätsträger aus dem Substrat (1) bildenden Banddiskontinuität im Verlauf des zugehörigen Energiebandes beweglicher Minoritätsträger abgeschlossen ist, in deren Folge keine Minoritätsladungsträger aus dem Substrat (1) oder der Pufferschicht (2) in die photoelektrisch aktive Schicht (3, 20) gelangen können.</p> |
