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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer stückweise im Substrat verlaufenden Verdrahtung
摘要
申请公布号 DE19852072(C2) 申请公布日期 2001.10.18
申请号 DE1998152072 申请日期 1998.11.11
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BRAUN, HELGA;KAKOSCHKE, RONALD;KUX, ANDREAS;STOKAN, REGINA;PLASA, GUNTHER
分类号 H01L23/52;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/8238;H01L23/58;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/768;H01L23/535 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人
主权项
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