| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 전력소자로 사용되는 갈륨아세나이드(GaAs)계 의사 고전자이동도 트랜지스터(Pseudo High Electron Mobility Transistor, P-HEMT)에 관한 것이며, 소자의 전류구동 특성, 외인성 전달 특성, 항복전압 특성, 게이트 전압스윙 특성 등을 고루 만족시킬 수 있는 갈륨아세나이드계 의사 고전자이동도 트랜지스터를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 캡층-채널층-스페이서층의 역 구조를 채용하여 전달특성과 항복전압 특성을 향상시킴과 동시에 역 구조에 이중 채널 구조를 적용하여 면전하 농도의 증가에 따른 전류구동능력의 향상을 도모하였다.</p> |
