| 摘要 |
<p>본 발명은 과도하게 전류를 누설시키지 않고서도 반도체 칩 상의 디바이스들 사이에 직접적인 저 저항성 컨택트(a direct low resistive contact)를 제공하는 방법에 관한 것이다. 바람직한 디자인에서는 칩을 위한 실리콘 온 절연체(silicon on insulator : SOI) 구성을 이용하여 전류 누설을 방지한다. 절연체 위에 실리콘 이산화물과 같은 직접적인 컨택트를 제조함으로써, 전류 누설이 최소화된다. 바람직한 실시예에서는, 실리사이드(silicide)를 이용하여 폴리실리콘 게이트를 기판의 도핑된 영역에 접속시킨다. 본 발명의 다른 실시예에서는, 도전성 스터드(conductive studs)를 이용하여 디바이스를 전기적으로 접속시킨다. 본 발명에 의하면 칩 밀도가 약 20 % 증가한다.</p> |
