发明名称 Halbleiter-Feldeffekttransistor mit einer grossen Substratkontaktzone
摘要
申请公布号 DE69522634(D1) 申请公布日期 2001.10.18
申请号 DE19956022634 申请日期 1995.10.17
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 YUKAWA, AKIRA
分类号 H01L21/761;H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/761
代理机构 代理人
主权项
地址