发明名称 GASEOUS PROCESS FOR SURFACE PREPARATION
摘要 <p>L'invention concerne un oxyde de silicium sur un substrat que l'on peut graver en mettant le substrat dans une chambre de traitement, en faisant le vide dans la chambre à une pression inférieure à environ 1 torr; en y apportant à la chambre ainsi qu'au substrat un mélange gazeux comprenant un gaz inerte, un alcool et de l'eau et, par la suite, en apportant au mélange gazeux fourni à la chambre de traitement et au substrat, un élément chimique contenant du halogène anhydre gazeux.</p>
申请公布号 WO2001078117(A2) 申请公布日期 2001.10.18
申请号 US2001012353 申请日期 2001.04.07
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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