| 摘要 |
<p>Beschrieben wird eine Reaktionskammer insbesondere für die Durchführung von Verfahren zur Beschichtung von Substraten, wie CVD-Verfahren, bei der in wenigstens einer Außenwand mindestens ein Durchbruch vorgesehen ist, in die druck- bzw. vakuumdicht eine HF- und insbesondere RF-Durchführung eingesetzt ist. Die erfindungsgemässe Reaktionskammer zeichnet sich durch die Kombination folgender Merkmale aus: in jeden Durchbruch ist eine Trägerplatte dichtend eingesetzt, die Trägerplatte weist wenigstens einen Durchbruch für eine HF-Leitung auf, jede HF-Leitung weist an dem in der Reaktionskammer angeordneten Bereich einen Kragen auf, an dem eine erste Dichtung vorgesehen ist, zwischen eine zweite Dichtung an der Trägerplatte und die erste Dichtung an dem Kragen ist eine erste Scheibe aus einem isolierenden Material eingesetzt, an dem außerhalb der Reaktionskammer angeordneten Bereich jeder HF-Leitung ist ein Gewinde vorgesehen, auf das ein Schraubelement derart aufgeschraubt ist, dass es den Kragen der HF-Leitung über die erste Dichtung an der isolierenden Scheibe und diese über die zweite Dichtung an der Trägerplatte dichtend in Anlage hält, ohne dass ein elektrischer Kontakt zwischen HF-Leitung und Trägerplatte besteht bzw. ein Überschlag zwischen der HF-Leitung und der Trägerplatte auftritt.</p> |
