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<p>Beschrieben wird ein Verfahren für das initiale Wachstum von Stickstoff enthaltenden Halbleiterkristallmaterialien der Form AXBYCZNVMW (A, B, C stellen ein Gruppe II- oder III- Element dar, N Stickstoff, M ein Gruppe V- oder VI-Element und X, Y, Z, W ist der Molenbruch jedes Elements in dieser Verbindung) auf Saphir, SiC und Si unter Verwendung von verschiedenen Rampenfunktionen, die eine kontinuierliche Änderung der Wachstumpsparameter während des initialen Wachstums ermöglichen. Dieses neue initiale Wachstumsverfahren zeichnet sich dadurch aus, dass beim initialen Wachstumsprozess der Stickstoff enthaltenden Halbleiterkristallmaterialien auf Saphir, Sic oder Si keine abrupte Wachstumsregimeänderung erforderlich ist um eine geeignete Struktur für das weitere Hochtemperatur-Wachstum zu realisieren.</p> |
