| 摘要 |
<p>L'invention concerne plusieurs modes de réalisation d'un dispositif semi-conducteur (14) et d'un dissipateur thermique (11), ainsi que des procédés permettant de mettre en oeuvre ces modes de réalisation. Le dispositif semi-conducteur (14) comprend un circuit intégré (16) monté sur une surface supérieure d'un substrat (18). Dans un mode de réalisation du dispositif semi-conducteur (14), un support adaptatif (34) est positionné autour d'une région extérieure de la surface supérieure du substrat (18) entourant le circuit intégré. Le support adaptatif (34) répond à une première force compressive par la production d'une seconde force du type ressort s'opposant à la première force. La seconde force est, de préférence, suffisante pour maintenir la surface inférieure d'un dissipateur thermique (11) sensiblement parallèle à la surface supérieure du substrat (18). Dans ce cas, la seconde force empêche l'occurrence de dommages sur le circuit intégré (16) et/ou des connexions électriques entre les circuits intégrés (16) et le substrat (18) résultant de pressions irrégulières exercées sur une surface envers du circuit intégré (16) par le dissipateur thermique (11).</p> |
