| 摘要 |
<p>본 발명은 고속소자로 사용되는 이종접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 결정성장법(Epitaxial Growth)에 의하여 실리콘-게르마늄을 포함하는 베이스층을 형성하는 방법 및 그 방법에 의한 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 구조에 관련된 것이다. 본 발명은 기판 위에 증착된 절연막의 일부를 식각하여 형성된 컬렉터 영역 내부에 선택적 결정성장법으로 제1형 반도체를 성장시켜 상기 컬렉터 영역을 채우고 과성장시켜 버섯모양으로 형성된 컬렉터를 형성하는 단계와, 상기 버섯모양의 컬렉터 상부 표면을 덮는 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막 외의 절연막 위에 다결정 실리콘을 성장하여 상기 산화막의 높이와 거의 같은 제1 베이스 반도체전극층을 형성하는 단계와, 상기 산화막 중 컬렉터의 돌출된 부분의 윗면을 덮고 있는 부분만을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 제1 베이스 반도체전극층과 컬렉터와 측부 산화막의 표면 위에 실리콘-게르마늄을 포함하는 물질을 증착하여 컬렉터와 접촉하는 베이스와 상기 제1 베이스 반도체전극층과 접촉하는 제2 베이스 반도체전극층을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
