| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft einen Grabenkondensator (160) sowie ein dazugehöriges Herstellungsverfahren, wobei ein Isolationskragen (168) derart nicht konform im oberen Bereich eines Grabens (108) ausgebildet ist, dass eine Schichtdicke (do) in einem oberen Abschnitt des Isolationskragens (168) größer ist als eine Schichtdicke (du) in einem unteren Abschnitt des Isolationskragens. Dadurch erhält man einen Grabenkondensator (160) mit verbesserten Leckstromeigenschaften sowie einen vereinfachten sowie kostengünstigen Prozess zum Ausbilden des Isolationskragens (168). <IMAGE></p> |
