| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Masken für die Fertigung von Halbleiterstrukturen beschrieben, bei dem die Herstellung einer Maske anhand von Layoutdaten erfolgt, die Information zum Festlegen eines Maskenlayouts (1) mit einzelnen geometrischen Strukturelemente (2) aufweisen. Es werden vorher erzeugte Layoutdaten eines Maskenlayouts (1) dahingehend überprüft, ob geometrische Design-Anforderungen erfüllt sind. Im Falle der Verletzung von Design-Anforderungen werden die entsprechenden Fehlerorte (10, 20) im Maskenlayout (1) lokalisiert. Es werden dann weitere Layoutdaten erzeugt, die Information zum Festlegen von Korrekturfiguren (11, 22) zur Korrektur der jeweiligen Fehlerorte (10, 20) enthalten, und mit den Layoutdaten verknüpft, so daß die Layoutdaten modifiziert werden. Dadurch wird eine automatisierte Modifikation der Layoutdaten und deren technologieabhängige Optimierung ermöglicht. <IMAGE> |
