发明名称 微波等离子体源
摘要 本发明涉及一种离子注入表面改性、等离子增强沉积及离子氮化的等离子体源。采用真空弯波导,在线圈内腔与波导之间的空间里填充铁芯,并在线圈波导一侧的端头加装铁芯盖,以及线圈外围排置导磁条。由于使用了真空弯波导,从结构上避免了窗口受高能离子轰击以及沉积膜层的现象,窗口工作时间由原来的3-4小时提高到可长期连续工作基本不沉积;铁芯和磁路的使用,大大降低了线圈的工作电流,线圈的发热大约减小为原来的1/4。
申请公布号 CN1317924A 申请公布日期 2001.10.17
申请号 CN00136262.3 申请日期 2000.12.26
申请人 北京航空工艺研究所 发明人 武洪臣
分类号 H05H1/46 主分类号 H05H1/46
代理机构 航空航天工业部航空专利事务所 代理人 李建英
主权项 1.一种微波等离子体源,其特征是,采用真空弯波导,使石英窗口远离真空室及工艺区,放电发生在谐振腔一侧;在线圈内腔与波导之间的空间里填充铁芯,并在线圈波导一侧的端头加装铁芯盖,以堵住向外扩散的磁力线,在线圈外围排置导磁条,以形成开口朝向真空室的磁路。
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