发明名称 一组可控硅投切多路电容补偿装置
摘要 本实用新型公开了一组可控硅投切多路电容补偿装置,它包括控制器、电容和交流接触器,特征是在电容和三相电源之间接有一组由双向可控硅模块、交流接触器组成的可控硅控制电路。该可控硅控制电路在控制器的控制下可转换投切多路电容,可控硅仅在投切时接入主回路中,转接后即退出主回路,为下次投另一组电容做准备。因此本实用新型具有投切电容无涌流、运行时无谐波、故障率低、功耗小、成本低的优点,广泛适用于各种自动无功补偿柜中。
申请公布号 CN2454972Y 申请公布日期 2001.10.17
申请号 CN00259313.0 申请日期 2000.11.23
申请人 刘建新 发明人 刘建新
分类号 H02J3/18 主分类号 H02J3/18
代理机构 江西省专利事务所 代理人 张文
主权项 1、一种一组可控硅投切多路电容补偿装置,包括控制器、电容(C1、C2)、交流接触器(KM1、KM2、QM1、QM2),其特征在于:在三相电源(a、b、c)相线和电容(C1、C2)之间接有一组由两个可控硅模块(KQ1、KQ2)、交流接触器(KM1、KM2、QM1、QM2)组成的可控硅控制电路,其中双向可控硅模块(KQ1)的一端接三相电源(a)相线的接点(A1),另一端与交流接触器(KM1)的常开开关(KM1-1)和交流接触器(KM2)的常开开关(KM2-1)的公共接点(A2相接,常开开关(KM1-1)串接在接点(A2)和电容(C1)的接点(A3)之间,常开开关KM2-1)串接在接点(A2)和电容(C2)的接点(A4)之间,交流接触器(QM1)的常开开关(QM1-1)并联在接点(A1)和(A3)之间,双向可控硅模块(KQ2)的一端接三相电源(c)相线的接点(B1),另一端与常开开关(KM1-2)和常开开关(KM2-2)的公共接点(B2)相接,常开开关(KM1-2)串接在接点(B2)和(B3)之间,常开开关(KM2-2)串接在接点(B2)和(B4)之间,常开开关(QM1-2)并联在接点(B1)和(B3)之间,交流接触器(QM2)的常开开关(QM2-1)并联在接点(A1)和(A4)之间,常开开关(QM2-2)并联在接点(B1)和(B4)之间,电容(C1)的接点(D2)、电容(C2)的接点(D3)均接三相电源(c)相线的接点(D1)。
地址 518031广东省深圳市福田区振华路55号士必达大厦403B
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