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发明名称 A METHOD OF FORMING DUAL GATE OXIDE LAYERS OF VARYING THICKNESS ON A SINGLE SUBSTRATE
摘要
申请公布号 EP1145307(A1) 申请公布日期 2001.10.17
申请号 EP20000975392 申请日期 2000.10.26
申请人 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.;PHILIPS SEMICONDUCTORS INC. 发明人 LUTZE, JEFFREY;DE MUIZON, EMMANUEL
分类号 H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;(IPC1-7):H01L21/823 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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