发明名称 | 磁性沟道结器件的制造方法 | ||
摘要 | 一种磁性沟道结器件的制造方法,其中形成叠层(1),包括两个电极层(3,7),和在其间延伸的阻挡层(5)。通过腐蚀构成电极层之一,其中在腐蚀过程中,通过去除材料直到留下剩余层(7r),以使该层部分减薄。随后通过物理腐蚀去除该剩余层,其中至少带电颗粒具有动能基本位于剩余层的磁性材料的溅射阈值和阻挡层的非磁性材料的溅射阈值之间。在相关方法中,防止不准备构成的电极层在另一电极层的构成过程中被有害地影响。 | ||
申请公布号 | CN1318202A | 申请公布日期 | 2001.10.17 |
申请号 | CN00801461.2 | 申请日期 | 2000.07.17 |
申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | J·B·A·D·范宗 |
分类号 | H01F41/32;G11B5/31 | 主分类号 | H01F41/32 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻 |
主权项 | 1.一种磁性沟道结器件的制造方法,其中形成叠层,包括两个磁性材料的电极层,和在其间延伸的非磁性材料的阻挡层,其特征在于,通过腐蚀构成电极层之一,其中在腐蚀过程中,通过去除材料直到留下剩余层,以使相关层部分减薄,之后通过物理腐蚀去除该剩余层,其中至少颗粒具有的动能基本位于剩余层的磁性材料的溅射阈值和阻挡层的非磁性材料的溅射阈值之间。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |