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<p>본 발명은 반도체 소자의 식각 방법에 관한 것으로, 정전기력에 의해 웨이퍼를 처킹하고 플라즈마에 의해 웨이퍼를 식각하는 반도체 소자의 식각 방법에 있어서, 챔버를 안정화시킨 후 소정 압력 상태에서 소오스 파워만을 인가하여 웨이퍼 처킹을 체크한 후 바이어스 파워를 인가하여 식각 공정을 실시하거나, 압력을 조절하여 유지한 상태에서 소오스 파워만을 인가하여 웨이퍼 처킹을 체크한 후 바이어스 파워를 인가하여 식각 공정을 실시함으로써 웨이퍼의 손실을 미연에 방지할 수 있는 반도체 소자의 식각 방법이 제시된다.</p> |
