发明名称 method for fabricating high power device
摘要 <p>Al과 B이 혼합된 액상 소스 도핑시 as-cut 기판을 이용하더라도 얼라인 마진 한계 없이 두 개 이상의 PN 접합을 갖는 고정밀 소자(예컨대, 파워 트랜지스터, IGBTs, 사이리스터 등) 제조가 가능하도록 한 대전력 소자 제조방법이 개시된다. 이를 구현하기 위하여 본 발명에서는, n형 as-cut 기판 상의 활성영역에 절연 재질의 제 1 마스크 패턴을 형성하는 단계와; 상기 결과물 전면에 Al과 B이 혼합된 p형 액상 소스를 코팅하는 단계와; 상기 액상 소스를 확산시켜 상기 기판 내의 비활성영역에 제 1 p형 불순물 도핑 영역을 형성하는 단계와; 상기 액상 소스와 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계와; 상기 기판 상의 비활성영역에 절연 재질의 제 2 마스크 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 2 마스크 패턴에 의해 보호되지 못한 부분의 상기 기판 표면을 일정 두께 식각하여 그 표면 상태를 미러 폴리시드 상태와 유사하게 만드는 단계와; 상기 제 2 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 p형 불순물 도핑 영역 사이의 상기 기판내에 제 2 p형 불순물 도핑 영역을 형성하는 단계로 이루어진 대전력 소자 제조방법이 제공된다.</p>
申请公布号 KR100305675(B1) 申请公布日期 2001.10.17
申请号 KR19990054685 申请日期 1999.12.03
申请人 null, null 发明人 김병철;윤동현
分类号 H01L21/33 主分类号 H01L21/33
代理机构 代理人
主权项
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