| 摘要 |
<p>산화알미늄(AlO)과 산화탄탈륨(TaO)의 연속적 증착방법에 관해 개시한다. 개시된 방법은: 타겟 기판이 로딩된 소정 온도 범위의 진공챔버 내에 소정의 수송가스와 함께 소정의 금속유기가스을 진공챔버 내로 주입하는 제 1 단계; 퍼지 가스를 주입하여 상기 타겟 기판에 부착된 금속유기가스의 잉여분을 제거하는 제 2 단계; 소정의 수송가스와 함께 산화물 원료를 주입하여 상기 타겟 기판에 부착된 금속유기가스를 산화시켜 증착하는 제 3 단계; 퍼지 가스를 주입시켜 진공챔버 내의 반응가스와 반응결과물을 배출하는 제 4 단계; 상기 제 1 단계 내지 제 4 단계를 2 회 이상 반복 실시하되, 반복된 상기 제1단계에서 금속유기가스로서 알루미늄유기가스와 탄탈륨유기가스 각각을 적어도 1 회 이상 주입하도록 하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명의 AlO와 TaO박막의 연속 적층방법은 유전체 박막을 형성함에 있어서, 원자층 두께 단위로 제어하기 때문에 원자 크기로 유전체 박막 두께의 제어가 가능할 뿐 아니라, 균일한 두께와 불순물 함유량이 적은 양질의 박막을 얻을 수 있게 된다.</p> |
