| 摘要 |
<p>목적 : 본 발명은 포토 리소그라피 공정 수의 절감과 표면의 평탄화를 통한 반사 효율의 향상과 같은 특성을 가지는 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공함에 있다. 구성 : 본 발명은 기판의 상면에 버퍼층과 활성층을 적층 형성하고 이를 포토 리소그라피법으로 채널 영역을 정의하는 공정과, 상기 활성층의 상면에 절연층을 적층 형성하고 패터닝하여 상기 활성층의 소정 개소가 제한적으로 노출되게 하는 공정과, 상기 절연층의 상방으로 n+ 실리콘층과 금속막을 순차 적층하고 이들 층을 순차 식각하여 소스전극 영역과 드레인전극 영역, 그리고 게이트전극 영역을 정의하는 공정과, n- 이온 도핑을 실시하여 상기 활성층의 양단 소정부위가 LDD 영역으로 되게 하는 공정과, nMOS 박막의 상면을 선택적으로 n+ 도핑하는 공정과, pMOS 박막의 상면을 선택적으로 p+ 도핑하는 공정과, 상기 기판의 상면에 층간 절연층을 적층 형성하고 마스크를 통해 패터닝하여 소정 개소마다 콘택 홀이 형성되게 하는 공정과, 상기 층간 절연층의 상방으로 전극물질을 증착하고 마스크를 통한 패터닝을 실시하여 화소전극 및 부수적인 배선영역이 정의되게 하는 공정으로 행해진다. 효과 : 본 발명의 제조 방법은 공정의 전반에 걸쳐 포토 리소그라피가 5회 실시되는 것으로 족하기 때문에 종래의 방법에 비하여 획기적으로 공정 수를 줄일 수 있고, 소스전극과 드레인전극의 사이 간격을 마스크 상에서 조절할 수 있으므로LDD 영역의 폭을 컨트롤하기가 용이하며, 소스전극과 드레인전극의 하부에 n+ 실리콘 박막이 형성됨에 따라 게이트전극과 채널 사이의 워크 펑크션 차이가 감소되어 드레솔드 전압이 낮아지게 된다. 게다가 포토 리소그라피 공정 수의 단축은 적층 형성되는 박막의 표면 평탄화를 도모하여 주므로 반사형 액정표시소자에서는 입사광의 반사효율도 향상되는 효과가 있다.</p> |
