| 发明名称 |
Method of manufacturing a bipolar transistor |
| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de réalisation d'un transistor bipolaire dans un substrat de type P comprenant les étapes consistant à former dans le substrat une première zone (3) de type N ; former par épitaxie une première couche de silicium (30) ; former dans cette première couche, et sensiblement au-dessus de la première zone, une deuxième zone (34) fortement dopée de type P, disjointe de la deuxième zone ; former en périphérie de cette deuxième zone une troisième zone (36) de type N ; former par épitaxie une deuxième couche de silicium (41) ; réaliser une tranchée profonde (50) traversant les première et deuxième couches de silicium, pénétrant dans le substrat et séparant latéralement la deuxième zone (34) de la troisième zone (36) ; et procéder à un recuit tel que le dopant de la troisième zone (36) soit en continuité avec celui de la première zone (3). <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1146561(A1) |
申请公布日期 |
2001.10.17 |
| 申请号 |
EP20010410040 |
申请日期 |
2001.04.09 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS S.A. |
发明人 |
GRIS, YVON;SCHWARTZMANN, THIERRY |
| 分类号 |
H01L21/761;H01L21/762;H01L21/8228;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/082;(IPC1-7):H01L27/082 |
主分类号 |
H01L21/761 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
