| 摘要 |
<p>본 발명은 블록 라이트 기능을 가진 반도체 메모리 장치 및 블록 라이트 방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 장치는 라이트 제어신호에 응답하여 입력된 데이터를 각 입출력 라인 쌍들에 구동하기 위한 복수의 라이트 드라이버들과, 입출력 라인 쌍과 대응하는 비트라인 쌍의 사이에 각각 연결되고, 블록 라이트 사이클 중에는 그룹단위로 활성화되는 복수의 컬럼 선택기들과, 대응하는 비트라인 쌍에 각각 연결되고, 비트라인 쌍에 인가되는 데이터를 센싱하여 증폭하기 위한 복수의 비트라인 센스 증폭기들과, 각 비트라인에 연결된 복수의 메모리 셀들로 각각 구성된 복수의 메모리 컬럼들과, 각 입출력 라인 쌍에 각각 연결되고, 블록 라이트 사이클 동안에 라이트 마스크신호에 응답하여 마스킹된 입출력 라인 쌍에는 부하전류를 공급하고 나머지 마스킹되지 않은 입출력 라인 쌍에는 부하전류를 공급하지 않는 복수의 부하전류소스들을 포함한다. 따라서, 본 발명에서는 입출력 라인 쌍을 알루미늄과 같이 면저항이 작은 금속재료를 사용한 반도체 메모리 장치에서 메모리 코아의 변경없이 블록 라이트 기능을 실현할 수 있다.</p> |
