发明名称 - Sputtering apparatus for the deposition of Poly-si and highly functional thin-film coating by high rate pulse-DC magnetron sputtering source
摘要 <p>본 발명은 고품질의 기능성 박막을 제조하기 위해 1) 바디와, 2) 상기 바디와 절연물질로 절연되고 상기 바디에 고정된 타겟과, 3) 상기 타겟에 전력을 인가하는 음극과, 4) 상기 바디의 외측에 형성되고, 상기 타겟의 표면에 플라즈마를 발생시키는 내부 전자석과, 5) 상기 타겟의 표면에서 상기 내부 전자석에 의해 발생한 플라즈마를 상기 타겟의 표면에 제한하는 외부 전자석과, 6) 상기 플라즈마 때문에 상기 타겟에 발생한 열을 냉각하는 냉각부를 포함하는 마그네트론 코팅원과; 상기 마그네트론 코팅원과 전기적으로 독립되고, 펄스 직류전압을 인가받고, 상기 타겟과의 거리 조절이 자유로우며, 상기 플라즈마에 의해 스퍼터된 상기 타겟의 입자를 가속시키는 이온 인출 가속장치와; 상기 스퍼터된 입자가 증착되는 시편을 포함하고, 소정 압력의 진공이 유지되는 반응기를 포함하는 마그네트론 스퍼터코팅원에 관해 개시하고 있다.</p>
申请公布号 KR100310784(B1) 申请公布日期 2001.10.12
申请号 KR19990055059 申请日期 1999.12.06
申请人 한전건;부진효 发明人 한전건;부진효
分类号 H01L21/203 主分类号 H01L21/203
代理机构 代理人
主权项
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