| 摘要 |
<p>본 발명은 게이트 전극을 형성한 후에 추가적인 재산화 공정을 생략하여 소자의 특성을 향상시키도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 기판의 채널영역내에 형성되는 니트로겐 영역과, 상기 니트로겐 영역 및 그에 인접한 반도체 기판상에 서로 다른 두께를 갖고 형성 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측면에 형성되는 측벽 스페이서와, 상기 게이트 전극 양측의 반도체 기판 표면내에 형성되는 소오스/드레인 불순물 확산영역과, 상기 측벽 스페이서 하부의 반도체 기판 표면내에 형성되는 할로 영역을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.</p> |
