| 主权项 |
1.一种样本处理系统,包含:一传送机构,其具有一保持部份以保持一样本,该传送机构传送藉由保持部份保持之样本;和多数处理装置设置在与该传送机构之驱动轴分离等距离之位置,其中该传送机构枢转该保持部份绕着实质在水平面之驱动轴,和移动保持部份接近或离开驱动轴以在多数处理装置间传送样本。2.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中欲处理之样本为板状样本,和该保持部份实质水平保持板状样本和传送该样本。3.如申请专利范围第2项之样本处理系统,其中该多数处理装置之每个处理装置以实质水平状态从/至该传送机构之保持部份接收/传送板状样本。4.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中该多数处理装置包含分离装置以分离样本。5.如申请专利范围第2项之样本处理系统,其中欲处理之板状样本具有一分离层,和多数处理装置包括一分离装置以在分离层分离板状样本。6.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该分离装置分离水平保持的板状样本。7.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该分离装置射出一液体流向着分离层,而水平的保持板状样本以在分离层上分离板状样本。8.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该分离装置射出一液体流向着分离层,而转动水平保持的板状样本以在分离层上分离板状样本。9.如申请专利范围第7项之样本处理系统,其中该分离装置分离由上和下侧夹住和保持之板状样本。10.如申请专利范围第7项之样本处理系统,其中该分离装置具有一白努利(Bernoulli)夹盘当成一保持机构以保持该板状样本。11.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该分离装置应用实质为静止之流体压力至板状样本之至少部份分离层以在分离层上分离板状样本。12.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该分离装置具有一密闭容器,该板状样本储存在密闭容器中,和密闭容器中之内部压力设定为高压以在分离层上分离板状样本。13.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该多数处理装置包括一对中装置用以在板状样本传送至分离装置前,对中板状样本。14.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该多数处理装置包括一清洁装置用以清洁由分离装置所分离而得之板状样本。15.如申请专利范围第14项之样本处理系统,其中该清洁装置清洁由分离装置在水平状态分离而得之板状样本。16.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该多数处理装置包括一清洁/乾燥装置用以清洁和乾燥由分离装置所分离而得之板状样本。17.如申请专利范围第16项之样本处理系统,其中该清洁/乾燥装置清洁和乾燥由分离装置在水平状态所分离而得之板状样本。18.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该多数处理装置包括一反向装置用以枢转由分离装置所分离而得之两板状样本之上板状样本180。19.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中该多数处理装置之处理操作平行的执行。20.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中该传送机构包含一标量机器人。21.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中分离层为具有一易碎构造之层。22.如申请专利范围第21项之样本处理系统,其中具有易碎构造之层为一多孔层。23.如申请专利范围第21项之样本处理系统,其中具有易碎构造之层为一微空腔层。24.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中欲处理之板状样本为一半导体基底。25.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中欲处理之板状样本乃藉由结合第一基底和第二基底而形成,且具有含一易碎构造之层当成分离层。26.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中欲处理之板状样本乃藉由形成一多孔层在第一半导体基底之表面上,形成一非多孔层在多孔层上,和结合第二基底至非多孔层而形成。图式简单说明:第一图A至第一图E用以说明在依照本发明之一较佳实施例制造一SOI基底中之步骤之截面图;第二图为依照本发明之一较佳实施例之处理系统之示意构造之平面图;第三图为用于一结合基底堆叠之处理系统之处理步骤之流程图;第四图为用于平行处理多数结合基底堆叠之处理步骤之例图;第五图为由标量机器人传送结合基底堆叠或分离基底之传送处理和装置之处理执行过程之例图;第六图为分离装置之第一构造之示意图;第七图为第六图所示之基底保持部份之外观之示意图;第八图为分离装置之第二构造之示意图;第九图为第八图所示之分离装置之一部份之图;第十图为分离装置之第三构造之示意截面图;第十一图为分离装置之第三构造之示意截面图;第十二图为分离装置之第四构造之示意图;和第十三图A和第十三图B为标量机器人之机器手之另一构造图。 |
