| 主权项 |
1.一种磨光组成物,其特征为该组成物包含以下组份且不含氧化剂:(a)磨蚀剂,(b)草酸,(c)乙二胺衍生物,(d)苯并三唑衍生物,及(e)水。2.一种磨光组成物,其特征为该组成物包含以下组份:(a)磨蚀剂,(b)草酸,(c)乙二胺衍生物,(d)苯并三唑衍生物,(e)水,及(f)过氧化氢。3.如申请专利范围第1或2项之磨光组成物,其中,组成物的pH在3至6的范围内。4.如申请专利范围第1或2项之磨光组成物,其中,磨蚀剂为二氧化矽。5.如申请专利范围第1或2项之磨光组成物,其中,磨蚀剂为胶态氧化矽。6.如申请专利范围第1或2项之磨光组成物,其中,磨蚀剂的比表面积为50至300平方米/克,且其基于磨光组成物的含量为10至200克/升。7.如申请专利范围第1或2项之磨光组成物,其中,草酸基于磨光组成物的含量为0.001至0.01莫耳/升。8.如申请专利范围第1或2项之磨光组成物,其中,乙二胺衍生物为乙二胺且其基于磨光组成物的含量为0.001至0.005莫耳/升。9.如申请专利范围第1或2项之磨光组成物,其中,苯并三唑衍生物为苯并三唑且其基于磨光组成物的含量为0.0004至0.002莫耳/升。10.如申请专利范围第2项之磨光组成物,其中,过氧化氢基于磨光组成物的含量在1至30克/升的范围内。11.一种用以形成铜印刷配线的磨光方法,其特征为该磨光方法系供内部含有铜印刷配线之半导体装置用的磨光方法且包含第一磨光步骤其中磨光在到达阻挡层之前即完成同时铜层仍略微残留,与第二及第三磨光步骤其中残余铜层与阻挡层被施以磨光,其中在第二磨光步骤中,使用含有过氧化氢的磨光组成物且所有欲去除之铜层均为磨光所去除,在第三磨光步骤中,使用不含过氧化氢的磨光组成物且所有欲去除之阻挡层均为磨光所去除。12.如申请专利范围第11项之磨光方法,其中,第二磨光步骤中之磨光组成物中之过氧化氢的量系依第二步骤中欲藉磨光去除之铜层的厚度施以控制,或者依第三步骤中欲藉磨光去除之铜层的厚度及阻挡层的厚度施以控制。13.如申请专利范围第11项之磨光方法,其中,使用于第三磨光步骤中的磨光组成物包含以下组份且不含氧化剂:(a)磨蚀剂,(b)草酸,(c)乙二胺衍生物,(d)苯并三唑衍生物,及(e)水。14.如申请专利范围第11或12项之磨光方法,其中,使用于第二磨光步骤中的磨光组成物包含以下组份:(a)磨蚀剂,(b)草酸,(c)乙二胺衍生物,(d)苯并三唑衍生物,(e)水,及(f)过氧化氢。15.如申请专利范围第11至13项中任一项之磨光方法,其中,使用于第二及第三磨光步骤中之磨光组成物的pH在3至6的范围内。16.如申请专利范围第11至13项中任一项之磨光方法,其中,使用于第二及第三磨光步骤中之磨光组成物中的磨蚀剂为二氧化矽。17.如申请专利范围第11至13项中任一项之磨光方法,其中,使用于第二及第三磨光步骤中之磨光组成物中的磨蚀剂为胶态氧化矽。18.如申请专利范围第11至13项中任一项之磨光方法,其中,使用于第二及第三磨光步骤中之磨光组成物中的磨蚀剂具有50至300平方米/克的比表面积,且其基于磨光组成物的含量为10至200克/升。19.如申请专利范围第11至13项中任一项之磨光方法,其中,使用于第二及第三磨光步骤中之磨光组成物中的草酸,其基于磨光组成物的含量在0.001至0.01莫耳/升的范围内。20.如申请专利范围第11至13项中任一项之磨光方法,其中,使用于第二及第三磨光步骤中之磨光组成物中的乙二胺衍生物为乙二胺且其基于磨光组成物的含量为0.001至0.005莫耳/升。21.如申请专利范围第11至13项中任一项之磨光方法,其中,使用于第二及第三磨光步骤中之磨光组成物中的苯并三唑衍生物为苯并三唑且其基于磨光组成物的含量为0.0004至0.002莫耳/升。22.如申请专利范围第11至13项中任一项之磨光方法,其中,使用于第二磨光步骤中之磨光组成物中的过氧化氢,其基于磨光组成物的含量在1至30克/升的范围内。 |
