发明名称 半导体装置
摘要 本发明之解决手段是经由MOS电晶体以电容元件之放电电流用来检测内部电压线上之内部电压之电压变化,藉以变化该电容元件之充电电压。依照该电容元件之充电电压驱动该电流驱动电晶体,藉以对内部电压线供给电流。可以以低消耗电流和小占用面积稳定的产生内部电压。
申请公布号 TW459376 申请公布日期 2001.10.11
申请号 TW089109417 申请日期 2000.05.17
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 河野隆司;滨本武史
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种半导体装置,其特征是具备有:内部电压线(4;x)内部电压产生电路(1),用来在上述之内部电压线上产生内电压;上述之内部电压产生电路(1)具备有:基准电压产生电路(2);电容元件(6;56);差分检测装置(5;55),依照来自上述基准电压产生电路之基准电压和上述之内部电压线上之内部电压之差,用来变化上述之电容元件之充电电压;和电流驱动元件(9;59),依照上述之电容元件之充电电压,用来使电流在电源节点和上述之内部电压线之间流动。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之差分检测电路(5;55)具备有绝缘闸型场效电晶体(5;55),用来使依照上述之基准电压和上述之内部电压之差之电流流动。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之内部电压产生电路(1)更具备有电荷保持电路(8;65),依照控制信号使上述之电容元件和上述之差分检测电路分离。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之内部电压产生电路(1)更具备有预充电电路(7;57),在回应控制信号时,使上述之电容元件(6;56)耦合到上述之电源节点,和使上述之电容元件和上述之差分检测电路分离。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之内部电压产生电路(1)更具备有:电荷保持电路(8;58),在回应第1控制信号之非活性化时,使上述之差分检测电路和上述之电容元件分离;和预充电电路(7;57),在第2控制信号之活性化时,用来使上述之电容元件耦合到上述之电源节点,和用来使上述之电容元件和上述之差分检测电路分离;在回应上述之第2控制信号之活性化时使上述之第1控制信号活性化,和上述之第1控制信号在第2控制信号非活性化经过指定之时间系被非活性化。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之内部电压产生电路(1)更具备有预充电电路(7,8;57,65),在回应预充电指示信号时,用来使上述之电容元件耦合到上述之电容元件。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中更具备有施加电路(60),在回应上述之预充电指示信号之非活性化时,用来对上述之电容元件施加单发之脉波信号,上述之单发之脉波信号经由上述之电容元件传达到上述电流驱动元件之控制电极节点。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更具备有:内部电路(15),在回应活性化指示信号时,被活性化和进行动作,消耗上述之内部电压线上之内部电压;和控制电路(103),依照上述之活性化指示信号,产生用以控制上述差分检测电路之电压差检测动作和上述电容元件之充电动作之控制信号,将其施加到上述之内部电压产生电路。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中更具备有产生电路(103a,103b),依照重复施加之时钟信号,产生用以控制上述之差分检测动作和电容元件之充电动作之控制信号。10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中设置有多个上述之内部电压产生电路,上述设有多个之内部电压产生电路(130a-130d)并联的耦合在上述之内部电压线(4),和以互异之时序进行动作用来产生内部电压。11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中更具备有施加电路(125a-125c),用来对上述之多个内部电压产生电路(130a-130d),施加具有指定周期之使时钟信号移相之动作循环规定信号。12.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之电流驱动元件(9)在导通时使电流从上述之电源节点流到上述之内部电压线。13.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之电流驱动元件(59)在导通时使电流从上述之内部电压线流到上述之电源节点。图式简单说明:第一图之第一图A表示本发明之实施形态1之内部电压产生电路之构造,第一图B是时序图,用来表示第一图A所示之电路之动作。第二图之第二图A表示第一图A所示之产生控制信号之部份之构造,第二图B是时序用,用来表示第二图A所示之控制信号产生电路之动作。第三图之第三图A表示本发明之实施形态2之内部电压产生电路之构造,第三图B是信号波形图,用来表示第二图A所示之电路之动作。第四图之第四图A表示第三图A所示之产生控制信号之部份之构造,第四图B是时序图,用来表示第四图A所示之电路之动作。第五图概略的表示本发明之实施形态3之半导体装置之全体之构造。第六图概略的表示第五图所示之控制信号产生电路之构造。第七图概略的表示第六图所示之倍增电路之构造。第八图表示第七图所示之分频器之构造。第九图是时序图,用来表示第八图所示之分频器之动作。第十图概略的表示本发明之实施形态4之半导体装置之构造。第十一图之第十一图A概略的表示本发明之实施形态5之半导体装置之构造,第十一图B是时序图,用来表示第十一图A所示之电路之动作。第十二图之第十二图A表示第十一图A所示之/4移位器之构造之一例,第十二图B是时序图,用来表示第十二图A所示之/4移位器之动作。第十三图表示习知之内部电压产生电路之构造之一实例。第十四图之第十四图A和第十四图B表示内部电压之用途。第十五图之第十五图A和第十五图B分别表示内部电压之另外之用途。第十六图表示习知之内部电压产生电路之构造。第十七图表示习知之内部电压产生电路之另一构造。
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