| 主权项 |
1.一种埋入式线路结构,其特征为包含:基板;连续重叠形成在该基板上之第一线路层,第一层间介电膜,蚀刻停止层和其中具有线路沟渠之第二层间介电膜;穿透该第二层间介电膜,该蚀刻停止层和该第一层间介电膜,而到达该第一线路层之通孔插塞;及埋在该线路沟渠之中且与该通孔插塞之上侧壁接触之第二线路层。2.如申请专利范围第1项之埋入式线路结构,其中该线路沟渠和该通孔插塞具有相同的宽度。3.如申请专利范围第1项之埋入式线路结构,其中该蚀刻停止层系由氮化矽所制成。4.如申请专利范围第1项之埋入式线路结构,其中该通孔插塞系由钨或钨合金所制成。5.如申请专利范围第1项之埋入式线路结构,其中该第二线路层系由铝、铜或包含这些金属其中之一的合金所制成。6.一种形成埋入式线路结构之方法,其特征为包含以下步骤:在基板上形成第一线路层;在该第一线路层之上,依序形成第一层间介电膜,蚀刻停止层和第二层间介电膜;形成一穿透该第二层间介电膜,该蚀刻停止层和该第一层间介电膜,而到达该第一线路层之通孔;在该通孔之中形成通孔插塞;将该第二层间介电膜制成图案,以形成曝露该通孔插塞之上侧壁之线路沟渠;及形成与该接触插塞之上侧壁接触之第二线路层。7.如申请专利范围第6项之形成埋入式线路结构的方法,其中该蚀刻停止层系由氮化矽所制成。8.如申请专利范围第6项之形成埋入式线路结构的方法,其中该制作图案的步骤系藉由该蚀刻停止层停止。9.如申请专利范围第6项之形成埋入式线路结构的方法,其中该第二线路层之形成步骤,包含在该第二层间介电膜上之金属的化学机械抛光步骤。图式简单说明:第一图A到第一图E为形成埋入式线路结构之传统方法,其连续步骤之晶圆横截面图。第二图A到第二图E为根据本发明实施例,形成埋入式线路结构之方法,其连续步骤之晶圆横截面图。第三图A和第三图B分别为第二图D和第二图E之结构的横截面之部分立体图。 |
