发明名称 在半导体晶圆处理系统中一莲蓬头之双气体输出面板
摘要 一半导体晶圆处理系统之莲蓬头的面板具有多个气体通道用以提供多种气体至处理区域,不会在它们到达一反应室内的该处理区域之前将该等气体混合。该莲蓬头包含面板及气体分配歧管总件。该面板界定多个第一气体孔其在负来自于该歧管组件的第一氯体通过该面板至该处理区域及多个通道其将多个第二气体孔连接至一充气室(plenum),其被供应来自于该歧管组件的第二气体。
申请公布号 TW459268 申请公布日期 2001.10.11
申请号 TW088109847 申请日期 1999.06.11
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 沙尔瓦德P.悠莫多伊;劳伦斯C 雷;安哈N.恩盖叶;史帝夫H.邱
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种用于一莲蓬头上的面板,该面板至少包含:一下气体分配板及一上气体分配板,其中该下气体分配板包含多个第一气体孔其延伸穿过该下气体分配板到达在该上气体分配板中之多个第一气体孔,及多个第二气体孔其延伸穿过该下气体分配板进入多条互连沟道,该等互连沟道连接至一圆周充气室其经由在该上气体分配板中之第二气体孔接收一第二气体。2.如申请专利范围第1项所述之面板,其中在该下气体分配板中之该等互连沟道被形成为一十字交叉图案。3.如申请专利范围第1项所述之面板,其中每一第一气体孔都是由一管子所界定。4.如申请专利范围第1项所述之面板,其中该面板是藉由将该下气体分配板与该上气体分配板熔接在一起而形成的。5.一种用于一半导体晶圆处理系统中之莲蓬头,该莲蓬头至少包含:一具有一单一结构的面板,其中有多个第一气体孔延伸穿过该面板且该面板具有一由多条互连沟道所界定之内部气体分配凹穴,该等互连沟道连接至一圆周充气室其经由在该上气体分配板中之第二气体孔接收一第二气体;及一连接至该面板之气体分配歧管组件,用来供应一第一气体至该上气体分配板中之第一气体孔及供应一第二气体至该上气体分配板中之第二气体孔。6.如申请专利范围第5项所述之莲蓬头,其中一冷却板被固定于该气体分配歧管组件上。7.如申请专利范围第5项所述之莲蓬头,其中在该下气体分配板中之该等互连沟道被形成为一十字交叉图案。8.如申请专利范围第5项所述之莲蓬头,其中每一第一气体孔都是由一管子所界定。9.如申请专利范围第5项所述之莲蓬头,其中该面板是藉由将该下气体分配板与该上气体分配板熔接在一起而形成的。10.如申请专利范围第5项所述之莲蓬头,其中该气体分配歧管进一步包含一第一气体沟道其为一圆筒形并将第一气体供应至该上气体分配板中之多个第一气体孔。11.如申请专利范围第5项所述之莲蓬头,其中该气体分配歧管进一步包含一第二气体沟道其为一环状凹穴并具有从该环状凹穴延伸出之径向的沟道以供应第二气体至该圆周充气室。12.一种用于一半导体晶圆处理系统中之莲蓬头,该莲蓬头至少包含:一面板其具有一下气体分配板及一上气体分配板,其中该下气体分配板包含多个第一气体孔其延伸穿过该下气体分配板到达在该上气体分配板中之多个第一气体孔,及多个第二气体孔其延伸穿过该下气体分配板进入多条互连沟道,该等互连沟道连接至一圆周充气室其经由在该上气体分配板中之第二气体孔接收一第二气体;及一连接至该面板之气体分配歧管组件,用来供应一第一气体至该上气体分配板中之第一气体孔及供应一第二气体至该上气体分配板中之第二气体孔。13.如申请专利范围第12项所述之莲蓬头,其中一冷却板被固定于该气体分配歧管组件上。14.如申请专利范围第12项所述之莲蓬头,其中在该下气体分配板中之该等互连沟道被形成为一十字交叉图案。15.如申请专利范围第12项所述之莲蓬头,其中每一第一气体孔都是由一管子所界定。16.如申请专利范围第12项所述之莲蓬头,其中该面板是藉由将该下气体分配板与该上气体分配板熔接在一起而形成的。17.如申请专利范围第12项所述之莲蓬头,其中该气体分配歧管进一步包含一第一气体沟道其为一圆筒形并将第一气体供应至该上气体分配板中之多个第一气体孔。18.如申请专利范围第12项所述之莲蓬头,其中该气体分配歧管进一步包含一第二气体沟道其为一环状凹穴并具有从该环状凹穴延伸出之径向的沟道以供应第二气体至该圆周充气室。19.一种化学气相沉积反应室,其至少包含:一真空室,其界定一沉积区域;一晶圆支撑托盘,其住在该真空室内并接近该沉积区域;一莲蓬头,其位在该真空室内并接近该沉积区域,其中该莲蓬头包含一具有一下气体分配板及一上气体分配板的面板,该下气体分配板包含多个第一气体孔其延伸穿过该下气体分配板到达在该上气体分配板中之多个第一气体孔,及多个第二气体孔其延伸穿过该下气体分配板进入多条互连沟道,该等互连沟道连接至一圆周充气室其经由在该上气体分配板中之第二气体孔接收一第二气体;及一连接至该面板之气体分配歧管组件,用来供应一第一气体至该上气体分配板中之第一气体孔及供应一第二气体至该上气体分配板中之第二气体孔。20.如申请专利范围第19项所述之化学气相沉积反应室,其中该第一气体为四氯化钛及该第二气体为氨。图式简单说明:第一图为一剖面图其示意地显示一包含了本发明之莲蓬头之半导体晶圆处理反应器;第二图为为一上视图,其显示一下气体分配板;第三图为沿着第二图之线3-3所取之该下气体分配板的部分剖面图;第四图为该下气体分配板的一部分之详细的上视图;第五图为沿着第四图之线5-5所取之该下气体分配板之该详细的部分之剖面图;第六图为该上气体分配板之上视图;第七图为沿着第六图之线7-7所取之该上气体分配板的部分剖面图;第八图为沿着第七图之线8-8所取之该上气体分配板的一部分之详细的剖面图;第九图为形成本发明之莲蓬头的面板之该下及上气体分配板之组立部分的详细剖面图;第十图为一气体分配歧管组件的上视图;第十一图为沿着第十图之线11-11所取之该气体分配歧管组件的剖面图;第十二图为该气体分配歧管的底视图;第十三图为该莲蓬头的另一实施例的一部分的剖面图;及第十四图为一前技双气体莲蓬头的剖面分解图。
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