| 主权项 |
1.一种量子井装置包含有:一具有第一导电型(First Conductivity Type)之基材;一第一导电型包覆层(Cladding Layer),形成于该基材上;一活性层(Active Layer),形成于该第一导电型包覆层上,其乃藉由N层量子井层以及N层障壁层交错堆叠而成;以及一第二导电型包覆层形成于该活性层上;其中该N层量子井层以及该N层障壁层被选择性地交错掺杂一预定掺质,而N系为一自然数。2.如申请专利范围第1项之量子井装置,其中每一障壁层均掺杂有该预定掺质。3.如申请专利范围第2项之量子井装置,其中每一障壁层之掺杂浓度介于51016/c.c与31018/c.c之间。4.如申请专利范围第3项之量子井装置,其中该预定掺质为一N型掺质,该N型掺质系为碲(Te)或硒(Se)或矽(Si)。5.如申请专利范围第3项之量子井装置,其中该预定掺质为一P型掺质,该P型掺质系为镁(Mg)或碳(C)或锌(Zn)。6.如申请专利范围第1项之量子井装置,其中每一量子井层均掺杂有该预定掺质。7.如申请专利范围第6项之量子井装置,其中每一量子井层之掺杂浓度介于51016/c.c与31018/c.c之间。8.如申请专利范围第7项之量子井装置,其中该预定掺质为一N型掺质,该N型掺质系为碲(Te)或硒(Se)或矽(Si)。9.如申请专利范围第7项之量子井装置,其中该预定掺质为一P型掺质,该P型掺质系为镁(Mg)或碳(C)或锌(Zn)。10.如申请专利范围第1项之量子井装置,其中该量子井装置另包含有一第一限制层(Confining Layer)以及一第二限制层,该第一限制层设于该第一导电型包覆层与该活性层之间,而该第二限制层设于该活性层与该第二导电型包覆层之间。11.如申请专利范围第1项之量子井装置,其中该量子井装置另包含有一第二导电型覆盖层形成于该第二导电型包覆层上。12.如申请专利范围第11项之量子井装置,其中该覆盖层系为一窗户层(Window Layer)或一欧姆接触层(Ohmic Contact Layer)。13.一种量子井装置之制作方法包含有:于一具有第一导电型之基材上形成一第一导电型包覆层;于该第一导电型包覆层上形成一活性层,该活性层系藉由N层量子井层以及N层障壁层交错堆叠而成;以及于该活性层上形成一第二导电型包覆层;其中一预定掺质被选择性地交错掺杂于该N层量子井层以及该N层障壁层中,而N系为一自然数。14.如申请专利范围第13项之制作方法,其中该预定掺质系掺杂于每一障壁层之中。15.如申请专利范围第14项之制作方法,其中该预定掺质之掺杂浓度介于51016/c.c与31018/c.c之间。16.如申请专利范围第15项之制作方法,其中该预定掺质为一N型掺质,该N型掺质系为碲(Te)或硒(Se)或矽(Si)。17.如申请专利范围第15项之制作方法,其中该预定掺质为一P型掺质,该P型掺质系为镁(Mg)或碳(C)或锌(Zn)。18.如申请专利范围第13项之制作方法,其中该预定掺质系掺杂于每一量子井层中。19.如申请专利范围第18项之制作方法,其中该预定掺质之掺杂浓度介于51016/c.c与31018/c.c之间。20.如申请专利范围第19项之制作方法,其中该预定掺质为一N型掺质,该N型掺质系为碲(Te)或硒(Se)或矽(Si)。21.如申请专利范围第19项之制作方法,其中该预定掺质为一P型掺质,该P型掺质系为镁(Mg)或碳(C)或锌(Zn)。22.如申请专利范围第13项之制作方法,其中该制作方法另包含有于该第一导电型包覆层与该活性层之间形成一第一限制层,于该活性层与该第二导电型包覆层之间形成一第二限制层。23.如申请专利范围第13项之制作方法,其中该制作方法另包含有于该第二导电型包覆层上形成一第二导电型覆盖层。24.如申请专利范围第23项之制作方法,其中该第二导电型覆盖层系为一窗户层(Window Layer)或一欧姆接触层(OhmicContact Layer)。图式简单说明:第一图为习知量子井装置之示意图第二图为第一图所示活性层之示意图第三图为第一图所示量子井装置之静电放电功能测试图第四图为本发明量子井装置之示意图第五图为第四图所示量子井装置之静电放电功能测试图第六图为第四图所示量子井装置之制程流程图第七图为第六图所示制程之步骤118的子流程图第八图为应用本发明量子井装置之发光二极体的第一实施例示意图第九图为第八图所示发光二极体之第二实施例示意图第十图为第八图所示发光二极体之第三实施例示意图第十一图为第八图所示发光二极体之第四实施例示意图 |
