| 主权项 |
1.一种形成沟渠绝缘区域于半导体基板中之方法,该方法至少包含:形成第一氧化层于该基板之上,上述之第一氧化层系利用化学气相沈积法所形成;形成氮化层于该第一氧化层之上;形成第二氧化层于该氮化层之上;蚀刻上述第一氧化层、该氮化层以及该第二氧化层所构成之三明治结构用以产生一开口于其中以暴露出部分该基板;形成复晶矽层于该开口之表面以及该第二氧化层表面;执行热氧化制程将该复晶矽层转换为热氧化层;以非等向性蚀刻制程蚀刻该热氧化层以形成间隙壁于该开口之侧壁;以该间隙壁及该三明治结构做为蚀刻罩幕,蚀刻该基板以形成沟渠于其中;形成衬层于该沟渠面;形成沟渠填充材质于该沟渠之中以及该第二氧化层之上;执行平坦化制程到该氮化矽层为止;去除该氮化矽层;及去除该第一氧化层及该间隙壁。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一氧化层系使用包含正矽酸乙酯(TEOS)所形成之氧化层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二氧化层系使用包含正矽酸乙酯(TEOS)所形成之氧化层4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之沟渠填充材质系包含氧化物。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之衬层系利用热氧化法形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之侧壁间隙为复晶矽所组成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之平坦化系利用化学机械研磨法。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一氧化层利用HF溶液去除。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一氧化层利用BOE溶液去除。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之间隙壁利用HF溶液去除。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之间隙壁利用BOE溶液去除。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之非等向性蚀刻包含RIE(reactiveion etching)。图式简单说明:第一图为先期技术沈积沟渠填充材质步骤之截面图。第二图为先前技术造成凹陷结构之截面图。第三图为本发明形成第一氧化层/氮化层/第二氧化层之截面图。第四图为本发明形成复晶矽层于三明治结构开口表面之截面图。第五图为本发明氧化上述复晶矽层之截面图。第六图为本发明形成间隙壁之截面图。第七图为本发明沈积沟渠填充材质步骤之截面图。第八图为本发明执行化学机械研磨制程之截面图。第九图为本发明去除第一氧化层、间隙壁之截面图。 |
