| 主权项 |
1.一种磨盘,具有第一及第二表面,第一表面具有一主要刮磨区,此区仅覆盖第一表面之外周边并自周边延伸至距盘中心10%及50%之径向距离,及一中央区覆盖其余第一表面。2.如申请专利范围第1项之磨盘,其中之中央区设有较沈积于主要刮磨区为少之量之刮磨剂。3.如申请专利范围第1项之磨盘,其中之中央区具有较主要刮磨区为少之每单位颗粒。4.如申请专利范围第1项之磨盘,其中之中央区包括至少二集中环形区及具有较刮磨量中主刮磨区为次级之刮磨剂,以增加盘之沿周距离。5.如申请专利范围第1项之磨盘,其中至少最接近盘中央区部份本质上避免刮磨。6.一种制造磨盘之方法,磨盘具有自盘之周边至中心之10至50%距离,包括进馈刮磨颗粒至刮磨颗粒至一沈积锥形之外表面上之一颗粒沈积表面,其上具有与颗粒沈积表面或直交并位于颗粒沈积表面上方,以使沈积表面接受一环形颗粒沈积。7.如申请专利范围第6项之方法,其中沈积锥形对称式位于一圆形塔内,塔具有与锥形之纵轴线重合之一垂直纵向轴。8.如申请专利范围第6项之方法,其中圆形塔内设有不同最大直径之多个同轴沈积锥形,及颗粒送入由各锥形表面间之空间所界定之多个环形通路,及第一优等颗粒进馈至锥形间之空间内之最大开敞端部直径之及圆形塔之内部表面与次级颗粒馈入相对锥形表面所界定之空间中。9.如申请专利范围第6项之方法,其中包括促进颗粒向下流至塔之更分散作用,及沿塔向下并通过塔宽度之垂直等间隔之筛网。10.如申请专利范围第9项之方法,其中包括在颗粒物通过时,搅拌筛网。11.如申请专利范围第6项之方法,其中沈积表面被移至与一背托盘相对之面对面关系,背托盘具有覆盖于其上之一未硬化补充树脂层,二者均位于一电磁沈积区中,然后,使具有未硬化树脂层沈积区沈积背托盘表面沈积颗粒。12.如申请专利范围第6项之方法,其中沈积表面为涂有未硬化补充树脂层之一背托盘。图式简单说明:第一图为根据本发明之方法自一颗粒沈积表面之UP沈积颗粒之装置之流程图。第二图(a),第二图(b)及第二图(c)为用于根据本发明制磨盘之颗粒分配系统之概图。第三图(a)及第三图(b)显示能利用本发明之方法达成颗粒分配模式。 |
