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1.一种以经取代矽乙烯基部份封端之聚二有机矽氧烷之制法,其特点为包括下列之步骤:(A)在酸性聚合触媒之存在下,使经羟基封端之聚二有机矽氧烷与具有至少二个矽键结之氢原子之含矽化合物及-Si(R')3封端之矽氧烷混合,以形成混合物,其中R'分别代表具有1至6个碳原子之单价烃或卤烃,(B)藉由使步骤A之混合物进行反应形成反应产物,制成具有至少一个矽键结之氢原子及至少一个-Si(R')3基之聚二有机矽氧烷,及(C)在矽烷加氢反应触媒之存在下,添加经取代之烯基矽烷于步骤B中制得之反应产物中,形成以经取代矽乙烯基部分封端之聚二有机矽氧烷。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该经取代烯基矽烷系烯基烷氧基矽烷,且以经取代矽乙烯基部份封端之聚二有机矽氧烷为部份烷氧基矽乙烯封端之聚二有机矽氧烷。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中增链剂系在步骤C前加于步骤A之反应混合物及/或步骤B之反应产物中。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中增链剂为六甲基环三矽胺烷。5.根据申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中具有至少二个矽键结之氢原子之含矽化合物及-Si(R')3封端之矽氧烷系在与羟基封端之聚二甲基矽氧烷混合之前混合在一起。6.根据申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中酸性聚合触媒为具有一般式为{X(PX2=N)nPX3]+[MX(v-t+1)Rvit]-之磷硝基卤化物触媒,其中X代表卤素原子,M为元素,Rvi为具有达12个碳原子之烷基,n为1至6之値,v为M之价或氧化态,且t为0至v-1之値。7.根据申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中该经取代之烯基矽烷系乙烯基乙氧基矽烷。 |
