| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为具备:半导体晶片、搭载该半导体晶片之晶片搭载用内部导脚、在上述半导体晶片上面以电力连接之晶片连接用内部导脚、以及包封上述半导体晶片和上述各内部导脚,同时,平视面为长矩形之树脂包封体;而上述晶片搭载用内部导脚的端部,系形成沿着上述树脂包封体的长达方向延伸为长矩形或偏长矩形。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,平视面之上述晶片搭载用内部导脚的面积,系相对于上述树脂包封体底面积约50%以上。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述半导体晶片系搭载于朝上述树脂包封体的长边方向延伸之上述晶片搭载用内部导脚的中间部。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述晶片搭载用内部导脚之端部以外的宽度,系形成与上述端部之宽度相等。5.一种半导体装置,其特征为具备:第1以及第2半导体晶片、分别搭载上述各半导体晶片之第1以及第2晶片搭载用内部导脚、在上述各半导体晶以上面分别以电力连接之复数件晶片连接用内部导脚、以及包封上述各半导体晶片及上述各内部导脚,同时,平视面为长矩形状之树脂包封体;而上述各晶片搭载用内部导脚的端部整体,系在平视面下沿着上述树脂包封体的长边方向延伸为长矩形或偏长矩形。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,上述晶片搭载用内部导脚的端部整体,系在平视面下其面积约占上述树脂包封体底面积的50%以上。7.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,上述各晶片搭载用内部导脚之端部系配置于同一平面上,藉此,上述各半导体晶片系并设于上述树脂包封体内。8.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,上述晶片连接用内部导脚之任一端部,系以横跨第1以及第2半导体晶片上面之方式配置,藉此,可使上述各半导体晶片之两上面相互连接。9.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,上述各半导体晶片系以上下面相反之方式配置于上述树脂包封体内;上述第1晶片搭载用内部导脚的端部,系配置于上述树脂包封体的下面附近;上述第2晶片搭载用内部导脚的端部,系配置于上述树脂包封体的上面附近。图式简单说明:第一图为依据本发明第1实施例之半导体装置内部构造图。第二图为第一图所示之观看半导体装置的II-II方向内部构造图。第三图为用以对于树脂包封体的底面积来说明晶片搭载用内部导脚之面积比例说明图。第四图为依据本发明第2实施例之半导体装置内部构造图。第五图为依据本发明第3实施例之半导体装置内部构造图。第六图为依据本发明第4实施例之半导体装置内部构造图。第七图为依据本发明第5实施例之半导体装置斜视图。第八图为第七图所示之观看半导体装置的VIII-VIII方向内部构造图。第九图为第七图所示之观看半导体装置的IX-IX方向剖视图。第十图为依据本发明第6实施例之半导体装置的内部构造图。第十一图为第十图所示之观看半导体装置的XI-XI方向剖视图。第十二图为依据本发明第7实施例之半导体装置的内部构造图。第十三图为第十二图所示之观看半导体装置的XIII-XIII方向剖视图。第十四图为第十二图所示之半导体装置制造方法明示图。第十五图为第十二图所示之半导体装置制造方法明示图。第十六图为表示习知之半导体装置斜视图。第十七图为第十六图所示之观看半导体装置的XVII-XVII方向内部构造图。第十八图为第十六图所示之观看半导体装置的XVIII-XVIII方向内部构造图。 |
