| 主权项 |
1.一种改善平面度之凸块结构,至少包括:一基底,至少包括一主动表面;复数个焊垫,配置于该基底之该主动表面上;一绝缘层,覆盖于该基底之该主动表面上,并曝露出该些焊垫之部分;复数个球底金属层,形成于该些焊垫之曝露部分上,且每一该些球底金属层皆具有不同大小之面积,并与该些焊垫电性连接;以及复数个凸块,形成于该些球底金属层上,每一该些凸块可为不同大小,但皆具有相同高度。2.如申请专利范围第1项所述之改善平面度之凸块结构,其中该些球底金属层更包括有一阻障金属层、以及一镀层,其中该阻障金属层系与该些焊垫接触,而该镀层形成于该阻障金属层上方,并与该些凸块接合。3.如申请专利范围第2项所述之改善平面度之凸块结构,其中该阻障金属层之材质系选自于由铬、铬铜合金、钛、钛钨合金及该等之组合所组成之族群中的一种材料。4.如申请专利范围第2项所述之改善平面度之凸块结构,其中该镀层之材质系选自于由镍、铜、金、钯及该等之组合所组成之族群中的一种材料。5.如申请专利范围第1项所述之改善平面度之凸块结构,其中该些凸块之材质系选自于由锡铅合金、金及导电聚合物所组成之族群中的一种材料。6.一种改善平面度之凸块结构,至少包括:一基底,至少包括一主动表面;复数个焊垫,配置于该基底之该主动表面上;一绝缘层,覆盖于该基底之该主动表面上,并曝露出该些焊垫之部分;复数个球底金属层,形成于该些焊垫之曝露部分上;一厚膜,至少包括复数个开口,其中该些开口具有不同之大小,并于定义出该些球底金属层后移除该厚膜;以及复数个凸块,形成于该些球底金属层上,每一该些凸块大小相同,且具有相同高度。7.如申请专利范围第6项所述之改善平面度之凸块结构,其中该些球底金属层更包括有一阻障金属层、以及一镀层,其中该阻障金属层系与该些焊垫接触,而该镀层形成于该阻障金属层上方,并与该些凸块接合。8.如申请专利范围第7项所述之改善平面度之凸块结构,其中该阻障金属层之材质系选自于由铬、铬铜合金、钛、钛钨合金及该等之组合所组成之族群中的一种材料。9.如申请专利范围第7项所述之改善平面度之凸块结构,其中该镀层之材质系选自于由镍、铜、金、钯及该等之组合所组成之族群中的一种材料。10.如申请专利范围第6项所述之改善平面度之凸块结构,其中该些凸块之材质系选自于由锡铅合金、金及导电聚合物所组成之族群中的一种材料。图式简单说明:第一图A与第一图B系绘示习知球底金属结构的剖面示意图。第二图A与第二图B系绘示根据本发明改善平面度之凸块结构较佳实施例的剖面示意图。第三图A与第三图B系绘示根据本发明改善平面度之凸块结构另一较佳实施例的剖面示意图。 |
