| 主权项 |
1.一种植入剂量控制机构,其在具有一处理室(12)的一电浆侵入离子植入器(10)中,处理室(12)系用以将存于其内所产生之电浆中的离子植入于其内所含有之基质(W),该种植入剂量控制机构包括:(i)复数个电磁铁(34.36.38.40),用以在该室(12)内产生一磁场;(ii)至少一电源供应器(44.46),用以供应电流至该复数个电磁铁;(iii)一回授机构(42),用以在该室内之复数个位置感测于该电浆中所取出的离子电流或电浆密度,且输出代表其之回授信号(43);及(iv)一控制器(50),用以接收该回授信号且输出至少一个控制信号(51)至该至少一个电源供应器,以控制于该复数个电磁铁中之电流量,达成在该室内之复数个位置处的均匀电浆密度或均匀植入剂量。2.如申请专利范围第1项之机构,其中该回授机构(42)系位于该室(12)内之一平台(14)之表面上,一基质系在处理期间定位于平台(14)上,且其中该控制器(50)控制在该复数个电磁铁中之电流量,以达成于平台(14)之表面上的均匀电浆密度或均匀植入剂量。3.如申请专利范围第2项之机构,其中该复数个电磁铁(34.36.38.40)系放置于该处理室(12)之外侧。4.如申请专利范围第3项之机构,其中该复数个电磁铁(34.36.38.40)包括复数个环形电磁铁,其限定该处理室之外部。5.如申请专利范围第4项之机构,其中该复数个电磁铁(34.36.38.40)包括至少一较大主要电磁铁(34.40)及至少一较小调节电磁铁(36.38),该较小调节电磁铁操作在实质上吐该较大主要电磁铁为低的电流。6.如申请专利范围第2项之机构,其中该回授机构(42)系复数个法拉第电流收集器。7.如申请专利范围第2项之机构,其中该回授机构(42)系一移动的朗格缪尔(Langmuir)探棒。8.一种在电浆侵入离子植入器(10)之处理室(12)内植入基质(W)的方法,包含步骤:(i)在该室(12)中产生电浆;(ii)使用复数个电磁铁(34.36.38.40)在该室内产生磁场;(iii)在该室中之复数个位置使用一回授机构(42)感测该电浆中的离子电流;(iv)输出代表所感测的离子电流之回授信号(43);及(v)以控制器(50)接收该回授信号且输出至少一个控制信号(51)至该至少一个电源供应器,以控制欲达成在该室内复数个位置之均匀电浆密度或均匀植入剂量所需于该复数个电磁铁中之电流量。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该回授机构(42)系位于该室(12)内之平台(14)之表面上,一基质在处理期间系定位于平台(14)上,且其中该控制器(50)控制在该复数个电磁铁中电流量,以达成平台(14)之表面上的均匀电浆密度或均匀植入剂量。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该复数个电磁铁(34.36.38.40)系放置于该处理室(12)之外侧。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该复数个电磁铁(34.36.38.40)包括复数个环形电磁铁,其限定该处理室之外部。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该复数个电磁铁(34.36.38.40)包括至少一较大主要电磁铁(34.40)及至少一较小调节电磁铁(36.38),该较小调节电磁铁操作在实质上比该较大主要电磁铁为低的电流。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该回授机构(42)系复数个法拉第电流收集器。14.如申请专利范围第9项之系统,其中该回授机构(42)系一移动的朗格缪尔(Langmuir)探棒。15.一种在电浆侵入离子植入器(10)之处理室(12)内植入基质(W)方法,包含步骤:(i)在该室(12)中产生电浆;(ii)使用复数个电磁铁(34.36.38.40)在该室内产生磁场;(iii)在该室内之复数个位置中使用一回授机构(42)感测该电浆中的离子电流;(iv)输出代表所感测的离子电流之第一回授信号(43);及(v)以控制器(50)接收该回授信号且输出第一个控制信号(51)至一个电源供应器,以控制欲达成在该室内跨越复数个位置之第一电浆密度或植入剂量分布所需于该复数个电磁铁中之电流量;(vi)定位基质(W)于该室内,且于其上执行第一植入;(vii)在该室内之复数个位置中使用一回授机构(42)感测该电浆中的离子电流;(viii)输出代表所感测的离子电流之第二回授信号(43);(ix)以控制器(50)接收该第二回授信号且输出第二个控制信号(51)至该电源供应器,以控制欲达成在该室内跨越复数个位置之第二电浆密度或植入剂量分布所需于该复数个电磁铁中之电流量;及(x)在基质上执行第二植入。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该回授机构(42)系位于该室(12)内的平台(14)之表面上,一基质在处理期间系定位于平台(14)上,且其中该基质(W)系在该第一植入后从该室所移走且在该第二植入之前于该室中重新定位,以使步骤(viii)及(ix)能够动作。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该复数个电磁铁(34.36.38.40)系放置于该处理室(12)之外侧。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该复数个电磁铁(34.36.38.40)包括复数个环形电磁铁,其限定该处理室之外部。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该复数个电磁铁(34.36.38.40)包括至少一较大主要电磁铁(34.40)及至少一较小调节电磁铁(36.38),该较小调节电磁铁操作在实质上比该较大主要电磁铁为低的电流。20.如申请专利范围第16项之方法,其中该回授机构(42)系复数个法拉第电流收集器。21.如申请专利范围第16项之方法,其中该回授机构(42)系一移动的朗格缪尔(Langmuir)探棒。图式简单说明:第一图系一电浆侵入离子植入系统之剖面图,其系纳入根据本发明的主旨所架构的剂量均匀机构之一实施例;第二图系一方块图,显示用以控制流经第一图之系统中的磁铁之电流的一闭回路控制系统;第三图系在第一图之系统的处理室内所建立的磁场之剖面图,运用于其所显示之磁铁;及第四图系跨越在第三图之室中一晶圆表面的正规化电浆密度之表示图,其针对流经第一图之系统中的磁铁之不同値的磁化电流。 |
