| 主权项 |
1.一种光阻再造(rework)之方法,其中一半导体基材上已形成一欲定义图案之底层,及形成一光阻图案层于该底层上,进行一光阻显影后检测(after-development-inspection, ADI)后,欲进行光阻再造制程,该光阻再造之方法至少包含下列步骤:将该半导体基材置于一湿式剥除剂中,用以除去大部分该光阻图案层;将该半导体基材量于一单一晶片制程室中,利用乾式剥除法(dry ashing)完全除去残留的光阻图案层;及重新形成光阻图案层于该底层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之底层为一介电层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之底层为一半导体层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之底层为一导体层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之光阻图案层为正光阻。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之光阻图案层为负光阻。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之湿式剥除剂(stripper)包含二甲基(dimethylsulfoxide, DMSO)及甲基-乙咯烷酮(1-methyl-2-pyrrolidone, NMP)。8.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之乾式剥除法系利用UV/O3乾蚀刻法。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之乾式剥除法系利用氧电浆乾蚀刻法。10.一种光阻再造(rework)之方法,其中一半导体基材上已形成一欲定义图案之底层,及形成一正光阻图案层于该底层上,进行一光阻显影后检测(after-development-inspection, ADI)后欲进行光阻再造制程,该光阻再造之方法至少包含下列步骤:将该半导体基材置于一湿式剥除剂中,用以除去大部分该正光阻图案层;将该半导体基材置于一单一晶片制程室中,利用UV/O3乾式剥除法用以完全除去残留的正光阻图案层;及重新形成正光阻图案层于该底层上。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之底层为一介电层。12.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之底层为一半导体层。13.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之底层为一导体层。14.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之湿式剥除剂(stripper)包含二甲基(dimethyl sulfoxide, DMSO)及甲基-乙咯烷酮(1-methyl-2-pyrrolidone, NMP)。15.一种光阻剥除方法,该方法至少包含:提供半导体基材具有底层(underlayer)形成于该半导体基材上;形成正光阻图案层于该底层上;进行光阻显影后检测(ADI),用以检测该正光阻图案层是否有缺陷;进行湿式剥除制程,用以除去大部分有缺陷之正光阻图案层;及于该单一晶片制程中进行UV/O3乾式剥除法,用以将残留于晶片表面之正光阻完全除去。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之湿式剥除剂(stripper)包含二甲基(dimethyl sulfoxide, DMSO)及甲基-乙咯烷酮(1-methyl-2-pyrrolidone,NMP)。图式简单说明:第一图显示传统剥除光阻技术流程图。第二图说明本发明之光阻剥除技术流程图,用以减少光阻再造之制程时间。 |
